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APD光电二极管的发展历程了解一下
  关注并了解光电二极管的发展历程,我们才知道该元件因何产生,在应用过程中的缺陷以及针对不足提出的改进措施,这些将是我们研究光电二极管的参考依据。接下来,小编对光电二极管的发展历程进行了总结,感兴趣的了解一下吧。
  1、萌芽期(1975年以前):典型的雪崩模式I-V曲线出现于1957年,由德国西门子公司申请的专利,标志着雪崩增益装置的出现;1967年由美国贝尔实验室申请的APD光电二极管装置的专利;此后,其他国家也有一些申请,但数量有限,此时处于APD的萌芽期。
  2、快速增长期(1976~1989年):随着硅、锗、GaAs材料生长工艺的完善和对弱光探测需求的增长,APD器件专利申请已进入快速发展时期,特别是在日本申请的数量急剧增加。
  3、低谷期(1990~1999年):由于基于硅、锗和GaAs材料的APD器件的研究日益完善,而新材料的开发速度也越来越慢,专利申请数量必然会陷入低谷。
  4、成熟期(2000年至今):随着材料生长工艺的发展,特别是MOCVD外延技术的成熟,诸如GaN、SiC等第三代半导体的生长工艺已经能够生长出符合器件制备要求的材料,APD器件的专利申请也进入了成长和成熟阶段,在此基础上,APD光电二极管器件的专利申请又趋于平稳。
  以上便是APD光电二极管的发展历程。
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